Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорныхстатей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся вобласти физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
| Вес: | 435 |
| Ширина упаковки: | 155 |
| Высота упаковки: | 20 |
| Глубина упаковки: | 225 |
| crossborder: | false |
| Издательство: | Едиториал УРСС |
| Тираж: | 1000 |
| Мелованная бумага: | false |
| Цветные иллюстрации: | false |
| Размер упаковки (Длина х Ширина х Высота), см: | 15.5 x 22.5 x 2 |
| Название: | Электронные свойства дислокации в полупроводниках |
| Комментарий: | Под редакцией академика Ю.А.Осипьяна |
| Тип издания: | Отдельное издание |
| Признак 18+: | false |
| Основной жанр книги: | Научная литература |
| Направления нехудожественной литературы: | Физические науки. Астрономия |
| Тип книги: | Печатная книга |
| Тип обложки: | Твердый переплет |
| Тип носителя: | Печатная книга |
| Эпоха публикации: | Современные издания |
| ebsmstock: | false |
Frame $60% в наличии