В работе для ВТСП-систем Bi2Sr2CaCu2O8, Y1-xCaxBa2Cu3O6, Hg0.8Tl0.2Ba2Ca2Cu3O8 исследованы температурные зависимости параметров элементарной ячейки для различных типов и концентрации носителей заряда. Показано, что в интервале температур 170 К - 240 К минимальные значения коэффициентов теплового расширения, вплоть до отрицательных величин, имеют наиболее близкие к оптимально допированному состоянию образцы.