В монографии обобщены результаты исследования принципов и процессов легирования германия и кремния с позиций физической химии и физики твердого тела.
В первой главе последовательно и полно изложены принципы легирования полупроводников.
Во второй главе собран и проанализирован практически весь имеющийся материал по двойным системам на основе германия и кремния. Графический материал в виде диаграммы состояния с микрообластями твердых растворов является справочным материалом.
Третья глава посвящена важному вопросу взаимодействия компонентов в полупроводниковых системах. Собраны практически все исследованные тройные диаграммы состояния для германия и кремния типа полупроводник — акцептор — донор. Вопросы взаимодействия рассматриваются с позиций физико-химического анализа.
В последней, четвертой, главе, посвященной методам легирования и получению материала с заданными свойствами, наглядно показана роль диаграммы состояния в определении методов и условий легирования при кристаллизации, диффузии и термообработке.
По полноте охвата литературы и всех имеющихся данных книга представляет не только научный интерес, но и может служить ценным справочником. Монография явится весьма полезным руководством для лиц, работающих в области полупроводникового материаловедения и приборостроения, а также для широкого круга специалистов по физике и химии полупроводников.
Книга может быть использована в качестве учебного пособия студентами и аспирантами, специализирующимися в области металлургии, физики и химии полупроводников.
В первой главе последовательно и полно изложены принципы легирования полупроводников.
Во второй главе собран и проанализирован практически весь имеющийся материал по двойным системам на основе германия и кремния. Графический материал в виде диаграммы состояния с микрообластями твердых растворов является справочным материалом.
Третья глава посвящена важному вопросу взаимодействия компонентов в полупроводниковых системах. Собраны практически все исследованные тройные диаграммы состояния для германия и кремния типа полупроводник — акцептор — донор. Вопросы взаимодействия рассматриваются с позиций физико-химического анализа.
В последней, четвертой, главе, посвященной методам легирования и получению материала с заданными свойствами, наглядно показана роль диаграммы состояния в определении методов и условий легирования при кристаллизации, диффузии и термообработке.
По полноте охвата литературы и всех имеющихся данных книга представляет не только научный интерес, но и может служить ценным справочником. Монография явится весьма полезным руководством для лиц, работающих в области полупроводникового материаловедения и приборостроения, а также для широкого круга специалистов по физике и химии полупроводников.
Книга может быть использована в качестве учебного пособия студентами и аспирантами, специализирующимися в области металлургии, физики и химии полупроводников.
| Вес: | 805 |
| Ширина упаковки: | 170 |
| Высота упаковки: | 20 |
| Глубина упаковки: | 260 |
| crossborder: | false |
| Издательство: | Наука |
| Тираж: | 4200 |
| Мелованная бумага: | false |
| Цветные иллюстрации: | false |
| Размер упаковки (Длина х Ширина х Высота), см: | 17 x 26 x 2 |
| Название: | Физико-химические основы легирования полупроводников |
| Сохранность: | Хорошая |
| Тип издания: | Отдельное издание |
| Основной жанр книги: | Научная литература |
| Направления нехудожественной литературы: | Химические науки |
| Тип книги: | Букинистика |
| Тип обложки: | Твердый переплет |
| Тип носителя: | Печатная книга |
| Эпоха публикации: | Букинистические издания |
| ebsmstock: | false |
Frame $60% в наличии