В книге представлено обобщение накопленного опыта по созданию методов входного и технологического контроля при разработке и производстве СВЧ транзисторов на основе широкозонных материалов, в частности, транзисторов на гетероструктурах типа AIGaN/GaN. Рассмотрены системы отечественных и зарубежных стандартов, на основе которых проводятся разработки СВЧ транзисторов. Подробно описаны физические основы гетероструктур, описаны свойства широкозонных полупроводников, методы изготовления СВЧ транзисторов. Детально анализируется технология производства транзисторов с учетом имеющегося опыта их реального изготовления. Рассмотрены электрические, оптические, рентгеновские, электронно-микроскопические и аналитические методы, которые применяются при входном и технологическом методах контроля. Рассмотрен опыт создания в ОАО "НПП «Пульсар" СВЧ транзисторов и СВЧ блоков на их основе.
Книга будет полезна специалистам в области электроники, исследователям, инженерам-практикам и разработчикам радиоэлектронной аппаратуры.
Вес: |
530 |
Ширина упаковки: |
150 |
Высота упаковки: |
20 |
Глубина упаковки: |
230 |
crossborder: |
false |
Издательство: |
Техносфера |
Тираж: |
300 |
Мелованная бумага: |
false |
Цветные иллюстрации: |
true |
Размер упаковки (Длина х Ширина х Высота), см: |
23 x 15 x 2 |
Название: |
Контроль новых технологий в твердотельной СВЧ электронике |
Тип издания: |
Отдельное издание |
Признак 18+: |
false |
Основной жанр книги: |
Научная литература |
Направления нехудожественной литературы: |
Юридическая психология, Финансовое право |
Тип книги: |
Печатная книга |
Тип обложки: |
Твердый переплет |
Тип носителя: |
Печатная книга |
Эпоха публикации: |
Современные издания |
ebsmstock: |
false |