Книга содержит ряд докладов, прочитанных специалистами США и других стран на Второй международной конференции по НТЛ полупроводников и посвященных новой перспективной технологии введения легирующих примесей в полупроводники - трансмутационному легированию при облучении в реакторе. Рассмотрены физические основы трансмутационного легирования (ТЛ), вопросы радиационной безопасности, техника облучения, образование дефектов и их отжиг, электрофизические и структурные свойства трансмутационно-легированного кремния и улучшение характеристик приборов.
Предназначена для специалистов в области радиационной физики твердого тела, полупроводниковой технологии, реакторной физики и техники.
Предназначена для специалистов в области радиационной физики твердого тела, полупроводниковой технологии, реакторной физики и техники.
| Вес: | 340 |
| Ширина упаковки: | 150 |
| Высота упаковки: | 20 |
| Глубина упаковки: | 210 |
| crossborder: | false |
| Серия: | Новости физики твердого тела |
| Издательство: | Мир |
| Переводчик: | Мордкович В. Н. |
| Мелованная бумага: | false |
| Цветные иллюстрации: | false |
| Название: | Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников. Выпуск 11 |
| Тип издания: | Отдельное издание |
| Сфотографировано фотостолом: | true |
| Признак 18+: | false |
| Основной жанр книги: | Научная литература |
| Тип книги: | Печатная книга |
| Тип обложки: | Мягкая обложка |
| Тип носителя: | Печатная книга |
| Эпоха публикации: | Современные издания |
| ebsmstock: | false |
Frame $60% в наличии