Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы.
Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовлением приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.
Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовлением приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.
| Вес: | 660 |
| Ширина упаковки: | 180 |
| Высота упаковки: | 25 |
| Глубина упаковки: | 250 |
| crossborder: | false |
| Серия: | Мир радиоэлектроники |
| Издательство: | Техносфера |
| Редактор: | Эрентраут Д. |
| Переводчик: | Юдинцев К. В. |
| Тираж: | 1500 |
| Мелованная бумага: | false |
| Цветные иллюстрации: | false |
| Размер упаковки (Длина х Ширина х Высота), см: | 18 x 25 x 2.5 |
| Название: | Технологии выращивания кристаллов нитрида галлия |
| Тип издания: | Отдельное издание |
| Признак 18+: | false |
| Основной жанр книги: | Научная литература |
| Тип книги: | Печатная книга |
| Тип обложки: | Твердый переплет |
| Тип носителя: | Печатная книга |
| Эпоха публикации: | Современные издания |
| ebsmstock: | false |
Frame $60% в наличии