Карбид кремния представляет собой перспективный материал, широко применяемый в полупроводниковой технике. Он обладает рядом уникальных свойств,что может позволить улучшить практически все характеристики приборов силовой и цифровой электроники, созданных на его основе.Развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Получение качественных малодефектных кристаллов SiC определенного политипа сопряжено с рядом трудностей, и одна из них – эффективная система управления процессом роста кристалла. Основная идея данной работы заключалась в изучении структуры, свойств и возможности получения графеноподобного 2D SiC. Было изучено влияние числа слоев на возможность перехода из одной модификации карбида кремния в другую. Были изучены системы 2D SiC на пластинках Mg (0001) и Zr (0001), как на потенциальных материалах для подложек при выращивании монослоя, а также исследовано поведение дефектов в монослое SiС и их влияние на физические свойства материала.
| Вес: |
501 |
| Количество страниц: |
68 |
| Год выпуска: |
2012 |
| Автор на обложке: |
Татьяна Кожевникова, Кузубов Александр und Елисеева Наталья |
| ISBN: |
9783659136108 |
| Язык издания: |
Русский |
| Издательство: |
LAP Lambert Academic Publishing |
