Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах.
Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.
Вес: |
840 |
Ширина упаковки: |
190 |
Высота упаковки: |
30 |
Глубина упаковки: |
240 |
crossborder: |
false |
Серия: |
Мир электроники |
Издательство: |
Техносфера |
Тираж: |
1500 |
Мелованная бумага: |
false |
Цветные иллюстрации: |
false |
Размер упаковки (Длина х Ширина х Высота), см: |
19 x 24 x 3 |
Название: |
Твердотельная электроника |
Комментарий: |
3-е издание, дополненное. |
Тип издания: |
Отдельное издание |
Признак 18+: |
false |
Предмет обучения: |
Физическая культура |
Основной жанр книги: |
Учебная литература |
Тип книги: |
Печатная книга |
Тип обложки: |
Твердый переплет |
Тип носителя: |
Печатная книга |
Эпоха публикации: |
Современные издания |
ebsmstock: |
false |